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安森美半导体公司宣布收购SensL Technologies Ltd(以下简称“SensL”)。此次收购预计将立即增加安森美半导体的非公认会计原则(Non-GAAP)每股盈利。SensL总部位于爱尔兰,是专为汽车、医疗、工业和消费市场提供硅光电倍增管(SiPM)、单光子雪崩二极管(SPAD)和光达(LiDAR)感测产品的一个技术领导者。 收购使安森美半导体扩展其在先进驾驶辅助系统和自动驾驶的汽车感测应用领域的市场领导地位,拓阔在成像、雷达和光达的能力。 结合此次在爱尔兰的收购,及此前在以色列和
标题:onsemi安森美SGF80N60UFTU-ON芯片:80A,600V N-CHANNEL IGBT的技术与应用介绍 onsemi安森美SGF80N60UFTU-ON芯片是一款高性能的N-CHANNEL IGBT,具有80A的电流容量和600V的电压规格。这款芯片以其出色的性能和广泛的应用领域,在电力电子领域中占据了重要地位。 技术特点上,SGF80N60UFTU芯片采用了先进的生产工艺,具有高饱和电压、低饱和电流、高浪涌抗性等特点。同时,其快速开关特性也使得它能快速切换电流,从而在各种
标题:onsemi安森美MGY40N60D芯片:TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 66A 3P技术与应用详解 安森美(onsemi)是一家全球知名的半导体公司,其MGY40N60D芯片是一款高性能的TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 66A 3P产品,广泛应用于各种电子设备中。本文将详细介绍该芯片的技术特点、应用领域以及发展趋势。 一、技术特点 MGY40N60D芯片采用了先进的IGBT技术,具有高耐压、大电流、低损耗等特点。其工作频率可达几千赫兹,适用于各种
标题:onsemi安森美ISL9V5045S3ST-F085芯片IGBT 480V 51A 300W D2PAK技术与应用介绍 安森美ISL9V5045S3ST-F085芯片IGBT是一款高性能的半导体功率器件,具有480V、51A的额定电压和功率,封装形式为D2PAK。这款芯片在技术上具有较高的效率和可靠性,广泛应用于各种电子设备中,如逆变器、电源转换器、电机驱动器等。 ISL9V5045S3ST-F085芯片IGBT采用了先进的栅极驱动技术,使得驱动电路的设计更加简化,同时增强了产品的安全
标题:onsemi安森美MGY40N60芯片IGBT 66A,600V,N CHANNEL,TO 26技术与应用介绍 onsemi安森美MGY40N60芯片IGBT是一种高性能的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),其特点为具有高耐压、大电流、高开关速度、高过载能力等特性,广泛应用于各种电力电子领域。 技术特性: 1. 66A大电流:MGY40N60芯片的每个通道可以承受高达66A的电流,为各类电力转换设备提供了强大的驱动力。 2. 600V高耐压:具有600V的额定电压,保证了芯片在应用中的安全性
标题:onsemi安森美FGA50T65SHD芯片IGBT技术与应用介绍 安森美(onsemi)是一家全球知名的半导体公司,其FGA50T65SHD芯片是一款高性能的IGBT(绝缘栅双极晶体管)芯片,具有650V 100A的规格,采用TO3PN封装。这款芯片在技术上具有很大的优势,应用领域广泛。 技术特点: 1. 高压性能:FGA50T65SHD芯片具有650V的额定电压,适用于高压应用场景。 2. 高电流容量:其额定电流达到100A,能够满足大电流应用的需求。 3. 快速开关特性:IGBT具
标题:onsemi ISL9V3036S3ST芯片IGBT 360V 21A TO263AB的技术与应用介绍 onsemi ISL9V3036S3ST芯片是一款高性能的绝缘栅双极晶体管(IGBT),其工作电压高达360V,最大电流高达21A,适用于各种电子设备中。这种芯片具有高耐压、大电流、开关速度快、热稳定性好等特点,因此在电力电子设备中得到了广泛应用。 ISL9V3036S3ST芯片采用了TO263AB封装,这种封装方式具有散热性能好、体积小、易于安装等特点,能够满足大功率器件的散热需求。
标题:onsemi安森美FGB32363-F085芯片IGBT技术与应用详解 安森美FGB3236-F085芯片是一款高性能的绝缘栅双极型晶体管(IGBT),具有360V、44A和187W的规格,适用于各种电子设备。D2PAK封装的它,具有更高的功率密度和更小的热阻抗,使其在紧凑的封装中实现更高的功率容量。 技术特点: 1. 高压性能:FGB3236-F085芯片能够承受高达360V的电压,确保在恶劣工作条件下不会发生短路。 2. 高电流能力:其44A的电流规格使其成为大电流应用的理想选择,如
标题:onsemi安森美FGB3245G2-F085芯片ECOSPARK2 450V IGNITION IGBT技术与应用介绍 安森美(onsemi)是一家全球领先的半导体公司,其FGB3245G2-F085芯片ECOSPARK2 450V IGNITION IGBT是一种高性能的IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块,广泛应用于汽车、工业和消费电子等领域。 ECOSPARK2系列IGBT模块具有出色的热性能和可靠性,适用于各种点火系统应用,如混合动力车和电动汽车。其450V的额定电压和高效的散热
标题:onsemi安森美FGA40T65SHDF芯片IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PN技术与应用详解 onsemi安森美FGA40T65SHDF芯片IGBT TRENCH/FS 650V 80A TO3PN是一种高性能的半导体器件,具有出色的性能和广泛的应用领域。本文将详细介绍该芯片的技术特点、应用领域以及实际应用案例,帮助读者更好地了解该芯片的性能和应用。 一、技术特点 1. 650V的额定电压和80A的额定电流,使其适用于各种需要大电流和高电压的电气系统。 2. 采